导电型碳化硅衬底是导电型碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成的单晶薄片。单晶衬底薄片作为第三代半导体的重要原材料，经过同质外延生长、晶圆制造、封装检测等环节，可制成碳化硅基功率器件，是第三代半导体产业发展的重要基础材料。

8英寸导电型衬底是下一代行业主流尺寸产品。8英寸产品质量与6英寸相当，未来公司将根据客户实际需求，同步扩大8英寸衬底生产规模，并有效降低生产成本，推动8英寸衬底不断向前发展。

碳化硅衬底材料经过同质外延生长、晶圆制造、封装检测等环节，制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，适用于高温、高压、大电流等工作环境，广泛应用于新能源汽车、充电桩、光伏风电、储能、轨道交通、智能电网、工业电源、工业驱动、白色家电等领域。